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蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)

DM500 電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)

  • 該系統(tǒng)為單真空室配置,內(nèi)置一套4~6工位電子槍及2組金屬蒸發(fā)源,真空室尺寸500500650mm(根據(jù)設(shè)計需要適當調(diào)整),腔體采用304不銹鋼加工而成,內(nèi)表面拋光,外表面噴丸處理。為便于實驗操作采用側(cè)開門形式,抽氣口后置,門上配備玻璃觀察窗(含防污染擋板),鍍膜過程在該真空室內(nèi)完成。同時考慮到系統(tǒng)拓展需要,預(yù)留所需法蘭接口。 電子槍及蒸發(fā)電極安裝在真空底板上。電子槍選用功率為8KW、...
  • 產(chǎn)品詳情

DM500 電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)(圖1)


    該系統(tǒng)為單真空室配置,內(nèi)置一套4~6工位電子槍及2組金屬蒸發(fā)源,真空室尺寸500×500×650mm(根據(jù)設(shè)計需要適當調(diào)整),腔體采用304不銹鋼加工而成,內(nèi)表面拋光,外表面噴丸處理。為便于實驗操作采用側(cè)開門形式,抽氣口后置,門上配備玻璃觀察窗(含防污染擋板),鍍膜過程在該真空室內(nèi)完成。同時考慮到系統(tǒng)拓展需要,預(yù)留所需法蘭接口。


    電子槍及蒸發(fā)電極安裝在真空底板上。電子槍選用功率為8KW、六工位水冷坩堝E型電子槍。配備2組金屬蒸發(fā)源,一套電源切換使用。


    基片架采用焊接波紋管+磁流體結(jié)構(gòu),樣品托采用拱形結(jié)構(gòu),最大直徑為100mm,蒸距450-550 mm可調(diào),利用焊接波紋管變形獲得。基片轉(zhuǎn)速度3-60轉(zhuǎn)/分,可控可調(diào)(步進電機控制)。


    此外根據(jù)需要可以選配高壓轟擊裝置或離子源輔助沉積系統(tǒng)。


    系統(tǒng)標配膜厚測量儀,可選配膜厚控制儀,實現(xiàn)鍍膜過程自動控制。


系統(tǒng)主要配置說明

 

項目

規(guī)格及說明

蒸發(fā)真空室

φ500*H650mm,尺寸根據(jù)設(shè)計要求適當調(diào)整,側(cè)開門

分子泵

分子泵1600L/S

機械泵

BSV40 旋片泵,兼起預(yù)抽泵和前級泵作用

擋板閥

DN40電磁擋板閥,預(yù)抽管道通斷

截止閥

6mm雙卡套接口電動截止閥

照明及烘烤裝置

選配

各型法蘭及觀察窗

DN16、35、63、100、250

不銹鋼管路、管接頭

各種規(guī)格精密不銹鋼管、波紋管、管接頭

數(shù)顯復合真空計

5227復合真空計或進口全量程規(guī)管可選

金屬裸規(guī)

ZJ52T,ZJ27 金屬接口

管路及接頭

配閥門

截止閥

6mm雙卡套接口電動截止閥

進氣等控制接口

手動或電控

轉(zhuǎn)動基片架

基片旋轉(zhuǎn)、基片架升降

升降裝置

升降手動調(diào)整或電動升降

基片加熱裝置

≤400℃  加熱裝置選配

溫控電源

日本島電溫控,PID控溫選配

發(fā)

統(tǒng)

電子槍

E型電子槍,4~6工位坩堝可選,10KW

蒸發(fā)源

水冷蒸發(fā)源,2組

蒸發(fā)電源

8-200A,1套

離子源系統(tǒng)

可選高壓轟擊或霍爾離子源

膜厚儀

石英晶振膜厚儀,可選膜厚控制儀,自動鍍膜

設(shè)備機架

一體式布局

水氣路系統(tǒng)

含冷卻水機

控制系統(tǒng)

標配觸摸屏自動控制


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