該系統為單真空室配置，內置一套4~6工位電子槍及2組金屬蒸發源，真空室尺寸500×500×650mm（根據設計需要適當調整），腔體采用304不銹鋼加工而成，內表面拋光，外表面噴丸處理。為便于實驗操作采用側開門形式，抽氣口后置，門上配備玻璃觀察窗（含防污染擋板），鍍膜過程在該真空室內完成。同時考慮到系統拓展需要，預留所需法蘭接口。
電子槍及蒸發電極安裝在真空底板上。電子槍選用功率為8KW、六工位水冷坩堝E型電子槍。配備2組金屬蒸發源，一套電源切換使用。
基片架采用焊接波紋管+磁流體結構，樣品托采用拱形結構，最大直徑為100mm，蒸距450-550 mm可調，利用焊接波紋管變形獲得。基片轉速度3-60轉/分，可控可調（步進電機控制）。
此外根據需要可以選配高壓轟擊裝置或離子源輔助沉積系統。
系統標配膜厚測量儀，可選配膜厚控制儀，實現鍍膜過程自動控制。
系統主要配置說明
項目 | 規格及說明 | |
真 空 室 | 蒸發真空室 | φ500*H650mm，尺寸根據設計要求適當調整，側開門 |
分子泵 | 分子泵1600L/S | |
機械泵 | BSV40 旋片泵，兼起預抽泵和前級泵作用 | |
擋板閥 | DN40電磁擋板閥，預抽管道通斷 | |
截止閥 | 6mm雙卡套接口電動截止閥 | |
照明及烘烤裝置 | 選配 | |
各型法蘭及觀察窗 | DN16、35、63、100、250 | |
不銹鋼管路、管接頭 | 各種規格精密不銹鋼管、波紋管、管接頭 | |
真 空 測 量 與 進 氣 | 數顯復合真空計 | 5227復合真空計或進口全量程規管可選 |
金屬裸規 | ZJ52T，ZJ27 金屬接口 | |
管路及接頭 | 配閥門 | |
截止閥 | 6mm雙卡套接口電動截止閥 | |
進氣等控制接口 | 手動或電控 | |
樣 品 架 | 轉動基片架 | 基片旋轉、基片架升降 |
升降裝置 | 升降手動調整或電動升降 | |
基片加熱裝置 | ≤400℃ 加熱裝置選配 | |
溫控電源 | 日本島電溫控，PID控溫選配 | |
蒸 發 系 統 | 電子槍 | E型電子槍，4~6工位坩堝可選，10KW |
蒸發源 | 水冷蒸發源，2組 | |
蒸發電源 | 8-200A，1套 | |
離子源系統 | 可選高壓轟擊或霍爾離子源 | |
膜厚儀 | 石英晶振膜厚儀，可選膜厚控制儀，自動鍍膜 | |
設備機架 | 一體式布局 | |
水氣路系統 | 含冷卻水機 | |
控制系統 | 標配觸摸屏自動控制 | |
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